RQ3E100BNTB1-HXY

RQ3E100BNTB1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关电路等场景。器件结构支持快速开关操作，在高频应用中表现稳定，适合需要高电流承载能力与低功耗特性的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E100BNTB1-HXY

商品编号

C53263015

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)