DMN3010LSS-13-HXY

DMN3010LSS-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于中等功率的开关电源、负载开关及电池供电设备中的功率路径控制，其电气特性支持稳定可靠的高频开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3010LSS-13-HXY

商品编号

C53263008

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.126744克(g)