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IPD50N03S4L06ATMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源转换场合，例如直流-直流变换器、负载开关及便携式设备中的功率管理模块。其电气特性支持在高频开关条件下保持较低温升，有助于优化系统热设计与能效表现。
- 商品型号
- IPD50N03S4L06ATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263010
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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