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PXN5R4-30QLJ-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7mΩ。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关、电源转换及电机控制等电路。其电气特性支持快速开关操作，适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电子系统。
- 商品型号
- PXN5R4-30QLJ-HXY
- 商品编号
- C53263009
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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