PXN5R4-30QLJ-HXY

PXN5R4-30QLJ-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7mΩ。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关、电源转换及电机控制等电路。其电气特性支持快速开关操作，适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PXN5R4-30QLJ-HXY

商品编号

C53263009

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)