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RQ3E180GNTB-HXY
RQ3E180GNTB-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流密度的电源转换、电池供电系统以及需要高效能量传输的电子装置。器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态特性，适合对效率和热管理有严格要求的应用场合。
- 商品型号
- RQ3E180GNTB-HXY
- 商品编号
- C53263006
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
参数完善中
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