温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIS782DN-T1-GE3-HXY

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压驱动下导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。其低导通阻抗有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于电源管理、电池供电设备、电机控制及各类高频率开关电路中，能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIS782DN-T1-GE3-HXY
商品编号: C53263004
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.068克(g)

商品参数

参数完善中