RQ3E120BNTB-HXY

RQ3E120BNTB-HXY

描述

该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为45A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。凭借其低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类开关电路中。器件在高频开关条件下仍能维持较低的功率损耗，有助于提升整体系统能效与热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E120BNTB-HXY

商品编号

C53262998

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)