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RQ3E120BNTB-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为45A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。凭借其低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类开关电路中。器件在高频开关条件下仍能维持较低的功率损耗，有助于提升整体系统能效与热稳定性。
- 商品型号
- RQ3E120BNTB-HXY
- 商品编号
- C53262998
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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