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RQ3E120BNTB-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为45A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。凭借其低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类开关电路中。器件在高频开关条件下仍能维持较低的功率损耗，有助于提升整体系统能效与热稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RQ3E120BNTB-HXY
商品编号: C53262998
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.071克(g)

商品参数

参数完善中