DMT3009LFVW-7-HXY

DMT3009LFVW-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统及各类中低电压开关电路。其电气特性支持稳定可靠的开关操作，在注重热管理和空间紧凑的设计中具有良好的适应性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT3009LFVW-7-HXY

商品编号

C53263001

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)