RQ3E150BNTB-HXY

RQ3E150BNTB-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。器件采用优化的结构设计，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散，提升系统整体能效，适合用于各类中低压开关应用中的高效功率转换与控制环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E150BNTB-HXY

商品编号

C53262999

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.09克(g)