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RQ3E150BNTB-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。器件采用优化的结构设计，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散，提升系统整体能效，适合用于各类中低压开关应用中的高效功率转换与控制环节。
- 商品型号
- RQ3E150BNTB-HXY
- 商品编号
- C53262999
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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