DMN3009LFV-7-HXY

DMN3009LFV-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高电流承载能力，在开关电源、电池管理系统及各类高效能电子设备中可实现稳定可靠的开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3009LFV-7-HXY

商品编号

C53262993

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.092克(g)