RQ3E130BNTB-HXY

RQ3E130BNTB-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）高达±20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构优化了开关特性，适合高频操作环境下的高效能需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E130BNTB-HXY

商品编号

C53262995

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.072449克(g)