温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RQ3E130BNTB-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）高达±20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构优化了开关特性，适合高频操作环境下的高效能需求。
- 商品型号
- RQ3E130BNTB-HXY
- 商品编号
- C53262995
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- AON7422G
- DMN3010LFG-7-HXY
- RQ3E120BNTB-HXY
- RQ3E150BNTB-HXY
- ISZ065N03L5SATMA1-HXY
- DMT3009LFVW-7-HXY
- RS1E170GNTB-HXY
- SIRA18DP-T1-GE3-HXY
- SIS782DN-T1-GE3-HXY
- SIS472DN-T1-GE3-HXY
- RQ3E180GNTB-HXY
- DMT35M7LFV-7-HXY
- DMN3010LSS-13-HXY
- PXN5R4-30QLJ-HXY
- IPD50N03S4L06ATMA1-HXY
- FDMC7678-L701-HXY
- CSD17552Q3A-HXY
- DMN3009SFGQ-7-HXY
- IPD70N03S4L04ATMA1-HXY
- RQ3E100BNTB1-HXY
- RQ3E180AJTB1-HXY