CSD17302Q5A-HXY

CSD17302Q5A-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。适用于开关电源、电机驱动、电池充放电控制及各类需要高效功率切换的电子系统，能够支持高频率操作并保持良好的电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSD17302Q5A-HXY

商品编号

C53262989

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)