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SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5.7毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流密度的电源转换、电机控制及各类开关电源拓扑结构。其电气特性适合在高频工作条件下保持稳定性能，同时具备良好的热稳定性和线性区响应能力，便于实现精准的功率调节与高效能量传输。
- 商品型号
- SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262992
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
参数完善中
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