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SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
N沟道 30V 60A
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5.7毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流密度的电源转换、电机控制及各类开关电源拓扑结构。其电气特性适合在高频工作条件下保持稳定性能，同时具备良好的热稳定性和线性区响应能力，便于实现精准的功率调节与高效能量传输。
- 商品型号
- SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262992
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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