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SQS482EN-T1_GE3-HXY
SQS482EN-T1_GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，在高频率开关应用中表现稳定。适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景，能够有效支持大电流工作条件下的可靠运行。
- 商品型号
- SQS482EN-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C53262987
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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