STL56N3LLH5-HXY

STL56N3LLH5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为6.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关应用场景。其电气特性适合用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够在紧凑布局下维持良好的热稳定性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL56N3LLH5-HXY

商品编号

C53262988

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139394克(g)