SIS406DN-T1-GE3-HXY

SIS406DN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高频率开关或大电流负载场景中表现稳定。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制等应用场合，能够有效支持高效能电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS406DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262984

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071429克(g)