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IPD047N03LF2SATMA1-HXY
IPD047N03LF2SATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作，适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。
- 商品型号
- IPD047N03LF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262985
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388095克(g)
商品参数
参数完善中
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