温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD5N50M
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于中高电压开关场景，其N沟道结构支持在栅极施加正向电压时形成导电沟道，实现高效通断控制。典型应用包括电源转换、电机驱动及各类电子负载开关电路，能够在确保稳定工作的同时满足对电压耐受与电流承载能力的基本需求。
- 商品型号
- AOD5N50M
- 商品编号
- C53262969
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
相似推荐
其他推荐
- DMN3023L-7-HXY
- AON7524
- BSZ0506NSATMA1-HXY
- RS1E280BNTB-HXY
- CSD17510Q5A-HXY
- IPD075N03LGATMA1-HXY
- DMN3033LSN-7-HXY
- SIRA88DP-T1-GE3-HXY
- RQ3E120GNTB-HXY
- NTTFS4C13NTAG-HXY
- SISA14DN-T1-GE3-HXY
- CSD17551Q3A-HXY
- AON7508
- DMN3009SFG-7-HXY
- SIS406DN-T1-GE3-HXY
- IPD047N03LF2SATMA1-HXY
- PXN4R7-30QLJ-HXY
- SQS482EN-T1_GE3-HXY
- STL56N3LLH5-HXY
- CSD17302Q5A-HXY
- SI4420BDY-T1-E3-HXY