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IPD075N03LGATMA1-HXY
IPD075N03LGATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高电流承载能力，在开关电源、电池管理系统及各类高效能电子设备中可实现稳定可靠的开关操作。
- 商品型号
- IPD075N03LGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262975
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378788克(g)
商品参数
参数完善中
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