CSD17551Q3A-HXY

CSD17551Q3A-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于电源管理、电机控制、电池供电设备及各类开关模式电源等应用场合。N沟道结构便于实现高效的开关操作，在紧凑型电路设计中可有效支持热性能与功率密度的优化。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSD17551Q3A-HXY

商品编号

C53262981

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.068克(g)