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RQ3E120GNTB-HXY
RQ3E120GNTB-HXY
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高效率电源转换、电机控制以及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够有效支持紧凑型设计和热管理优化。
- 商品型号
- RQ3E120GNTB-HXY
- 商品编号
- C53262978
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072449克(g)
商品参数
参数完善中
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