DMN3033LSN-7-HXY

DMN3033LSN-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其电气特性适用于中等功率的开关应用，在确保可靠运行的同时有效控制导通损耗。该器件适合用于电源管理模块、便携式设备的电源切换、电池保护电路以及各类消费类电子产品中的高效能开关控制，能够在有限空间内实现良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3033LSN-7-HXY

商品编号

C53262976

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)