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NTTFS4C13NTAG-HXY
NTTFS4C13NTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高频率或大电流工作条件下仍能保持良好的热性能。适用于电源管理模块、电机驱动电路以及各类需要高效功率开关功能的电子系统，能够支持紧凑布局并提升整体能效表现。
- 商品型号
- NTTFS4C13NTAG-HXY
- 商品编号
- C53262979
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069388克(g)
商品参数
参数完善中
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