SISA14DN-T1-GE3-HXY

SISA14DN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频率开关电路等场景。器件采用标准封装形式，便于在紧凑型设计中集成，同时确保在大电流工作条件下保持稳定可靠的电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA14DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262980

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.070408克(g)