温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ0506NSATMA1-HXY
N沟道 30V 90A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高效率。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景，可有效支持各类高效能电子系统的稳定运行。
- 商品型号
- BSZ0506NSATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262972
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- RS1E280BNTB-HXY
- CSD17510Q5A-HXY
- IPD075N03LGATMA1-HXY
- DMN3033LSN-7-HXY
- SIRA88DP-T1-GE3-HXY
- RQ3E120GNTB-HXY
- NTTFS4C13NTAG-HXY
- SISA14DN-T1-GE3-HXY
- CSD17551Q3A-HXY
- AON7508
- DMN3009SFG-7-HXY
- SIS406DN-T1-GE3-HXY
- IPD047N03LF2SATMA1-HXY
- PXN4R7-30QLJ-HXY
- SQS482EN-T1_GE3-HXY
- STL56N3LLH5-HXY
- CSD17302Q5A-HXY
- SI4420BDY-T1-E3-HXY
- DI040N03PT-HXY
- SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
- DMN3009LFV-7-HXY
- RS1E280BNTB-HXY
- CSD17510Q5A-HXY
- IPD075N03LGATMA1-HXY
- DMN3033LSN-7-HXY
- SIRA88DP-T1-GE3-HXY
- RQ3E120GNTB-HXY
- NTTFS4C13NTAG-HXY
- SISA14DN-T1-GE3-HXY
- CSD17551Q3A-HXY
- AON7508
- DMN3009SFG-7-HXY
- SIS406DN-T1-GE3-HXY
- IPD047N03LF2SATMA1-HXY
- PXN4R7-30QLJ-HXY
- SQS482EN-T1_GE3-HXY
- STL56N3LLH5-HXY
- CSD17302Q5A-HXY
- SI4420BDY-T1-E3-HXY
- DI040N03PT-HXY
- SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
- DMN3009LFV-7-HXY