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BSZ0506NSATMA1-HXY
BSZ0506NSATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高效率。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景，可有效支持各类高效能电子系统的稳定运行。
- 商品型号
- BSZ0506NSATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262972
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069388克(g)
商品参数
参数完善中
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