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RS1E280BNTB-HXY
N沟道 30V 150A
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。低RDS(ON)有效降低导通损耗，在大电流工作状态下仍能保持优异的热性能。适用于高效率、高功率密度的电源转换与配电系统，能够满足对动态响应和能效要求严苛的电子设备需求。
- 商品型号
- RS1E280BNTB-HXY
- 商品编号
- C53262973
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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