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CSD17510Q5A-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.3毫欧，栅源电压额定值达20V。其较低的RDS(ON)有助于在高电流应用中减少功率损耗并提升整体效率。器件适用于对热管理和能效有较高要求的电源系统，可稳定运行于频繁开关或持续大电流的工作环境中。
- 商品型号
- CSD17510Q5A-HXY
- 商品编号
- C53262974
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141414克(g)
商品参数
参数完善中
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