温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17510Q5A-HXY
N-SGT增强模式MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.3毫欧，栅源电压额定值达20V。其较低的RDS(ON)有助于在高电流应用中减少功率损耗并提升整体效率。器件适用于对热管理和能效有较高要求的电源系统，可稳定运行于频繁开关或持续大电流的工作环境中。
- 商品型号
- CSD17510Q5A-HXY
- 商品编号
- C53262974
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- IPD075N03LGATMA1-HXY
- DMN3033LSN-7-HXY
- SIRA88DP-T1-GE3-HXY
- RQ3E120GNTB-HXY
- NTTFS4C13NTAG-HXY
- SISA14DN-T1-GE3-HXY
- CSD17551Q3A-HXY
- AON7508
- DMN3009SFG-7-HXY
- SIS406DN-T1-GE3-HXY
- IPD047N03LF2SATMA1-HXY
- PXN4R7-30QLJ-HXY
- SQS482EN-T1_GE3-HXY
- STL56N3LLH5-HXY
- CSD17302Q5A-HXY
- SI4420BDY-T1-E3-HXY
- DI040N03PT-HXY
- SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
- DMN3009LFV-7-HXY
- SIRA28BDP-T1-GE3-HXY
- RQ3E130BNTB-HXY