DMN3023L-7-HXY

DMN3023L-7-HXY

描述

该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）达5.8A，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在低电压应用中表现出较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有一定要求的电路。典型应用场景包括电源开关、电池保护、DC-DC转换器及各类消费电子产品中的功率控制模块，其电气特性有助于维持系统稳定运行并优化能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3023L-7-HXY

商品编号

C53262970

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.028283克(g)