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DMN3023L-7-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）达5.8A，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在低电压应用中表现出较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有一定要求的电路。典型应用场景包括电源开关、电池保护、DC-DC转换器及各类消费电子产品中的功率控制模块，其电气特性有助于维持系统稳定运行并优化能效表现。
- 商品型号
- DMN3023L-7-HXY
- 商品编号
- C53262970
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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