RJK5030DPD-00#J2-HXY

RJK5030DPD-00#J2-HXY

描述

该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。器件在高电压条件下仍能维持稳定的开关性能，适用于对耐压能力有一定要求的电子系统。其结构特性使其在电源转换、充电设备、照明控制以及通用开关电路中能够可靠工作，满足多种常规电子装置对功率器件的基本需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK5030DPD-00#J2-HXY

商品编号

C53262967

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.376克(g)