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STP130N10F3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，导通电阻为8.5毫欧，最大栅源电压为20V。其参数组合使其在中高功率开关应用中具备良好的导通特性和控制稳定性。适用于电源管理、电机控制及高频开关电路等场景，能够在保持较低导通损耗的同时，实现高效的电能转换与精确的开关操作。
- 商品型号
- STP130N10F3-HXY
- 商品编号
- C53262947
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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