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PSMN5R0-100PS-HXY
PSMN5R0-100PS-HXY
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用，能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。
- 商品型号
- PSMN5R0-100PS-HXY
- 商品编号
- C53262952
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
参数完善中
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