温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN5R0-100PS-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用，能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。
- 商品型号
- PSMN5R0-100PS-HXY
- 商品编号
- C53262952
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY
- FDP045N10A-F032-HXY
- STD5NK50ZT4-HXY
- IRFR430BTM-HXY
- SPD03N50C3ATMA1-HXY
- IRFR430BTF-HXY
- RJK5030DPD-03#J2-HXY
- IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
- SIHD5N50D-E3-HXY
- RJK5003DPD-00#J2-HXY
- FDD5N50FTM-WS-HXY
- NDD05N50ZT4G-HXY
- AOD6N50
- RJK5030DPD-00#J2-HXY
- IPD50R1K4CEBTMA1-HXY
- AOD5N50M
- DMN3023L-7-HXY
- AON7524
- BSZ0506NSATMA1-HXY
- RS1E280BNTB-HXY