IPD50R1K4CEAUMA1-HXY

IPD50R1K4CEAUMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET器件具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。其高耐压特性适用于中等功率开关场景，能够在较高电压条件下稳定工作，同时较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。该器件结构适合用于电源管理、适配器、照明驱动及各类消费类电子设备中的开关与功率控制环节，具备良好的热稳定性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD50R1K4CEAUMA1-HXY

商品编号

C53262961

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.386克(g)