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IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET器件具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。其高耐压特性适用于中等功率开关场景，能够在较高电压条件下稳定工作，同时较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。该器件结构适合用于电源管理、适配器、照明驱动及各类消费类电子设备中的开关与功率控制环节，具备良好的热稳定性和可靠性。
- 商品型号
- IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
- 商品编号
- C53262961
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
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