RJK5003DPD-00#J2-HXY

RJK5003DPD-00#J2-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于中等功率开关场景，能够在较高电压下稳定工作，其N沟道结构便于实现高效的低侧开关配置。由于具备较高的耐压能力与适中的导通损耗，适合用于电源转换、电机驱动及各类电子负载控制等应用场合，满足对电压应力和电流承载有一定要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK5003DPD-00#J2-HXY

商品编号

C53262963

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.386克(g)