SPD03N50C3ATMA1-HXY

SPD03N50C3ATMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。其高耐压能力适用于需要承受较高电压的开关场合，而适中的导通电阻在保证可靠导通的同时控制功耗。该器件结构适合用于电源转换、负载开关及各类电子设备中的功率控制环节，尤其在对电压应力有一定要求的应用中表现稳定。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPD03N50C3ATMA1-HXY

商品编号

C53262958

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.388克(g)