FDP045N10A-F032-HXY
FDP045N10A-F032-HXY
- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具有120A的连续漏极电流(ID)和100V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至4.1毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性,使其适用于大功率电源转换、高效电机驱动以及对热管理要求严苛的电子系统。在高频开关操作中,器件能维持较低的功耗,有助于提升整体电路效率和可靠性。
- 商品型号
- FDP045N10A-F032-HXY
- 商品编号
- C53262955
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.828克(g)
商品参数
参数完善中
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