IRFR430BTM-HXY

IRFR430BTM-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于中等功率开关场景，其高耐压特性使其能够在较高电压环境下稳定工作，而较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率。由于采用N沟道结构，该MOSFET在驱动电路设计上具备良好的兼容性，适合用于电源管理、电机驱动及各类电子开关应用中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFR430BTM-HXY

商品编号

C53262957

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.386克(g)