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STP80N10F7-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的开关场合，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子系统中，能够稳定支持持续大电流工作需求。
- 商品型号
- STP80N10F7-HXY
- 商品编号
- C53262954
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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