STP80N10F7-HXY

STP80N10F7-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备70A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的开关场合，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子系统中，能够稳定支持持续大电流工作需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP80N10F7-HXY

商品编号

C53262954

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.022克(g)