AOT418L

AOT418L

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，在栅源电压为20V时导通电阻低至8.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，兼顾快速响应与稳定运行，适合在高负载条件下长期工作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOT418L

商品编号

C53262953

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.02克(g)