IPP100N10S305AKSA2-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的开关应用场景。器件结构支持良好的热传导性能，在电源转换、电机控制及大功率负载开关等电路中可实现稳定可靠的工作表现，满足对紧凑布局和高效运行的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP100N10S305AKSA2-HXY

商品编号

C53262945

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.83克(g)