AOT66918L

AOT66918L

描述

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其低阻特性有效减小了导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换系统。器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能，适合用于电机控制、不间断电源、电池管理系统等对电气性能和热稳定性有较高要求的场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOT66918L

商品编号

C53262944

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.838克(g)