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AOT66918L
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其低阻特性有效减小了导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换系统。器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能，适合用于电机控制、不间断电源、电池管理系统等对电气性能和热稳定性有较高要求的场合。
- 商品型号
- AOT66918L
- 商品编号
- C53262944
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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