DMTH10H009SPSWQ-13-HXY

DMTH10H009SPSWQ-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可实现高效开关操作。其低导通损耗与高电流处理能力，使其适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率转换环节，有助于提升整体电路的能效表现与热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H009SPSWQ-13-HXY

商品编号

C53262929

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.138克(g)