DMTH10H009LPSWQ-13-HXY

DMTH10H009LPSWQ-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。凭借优异的导通特性和高电流承载能力，适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器电源及各类中高功率电子系统中的开关应用，有助于降低导通损耗并提升整体能效与热管理性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H009LPSWQ-13-HXY

商品编号

C53262930

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)