DIT085N10-HXY

DIT085N10-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于需要高效开关性能的场合，如电源管理、电机控制及高频逆变系统，能够在严苛电气环境中保持稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DIT085N10-HXY

商品编号

C53262938

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.842克(g)