NVMFS6B05NT1G-HXY

NVMFS6B05NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换与开关应用场景。其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散，提升系统整体能效，同时支持高频开关操作，适合用于各类紧凑型、高密度的电子电路设计中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS6B05NT1G-HXY

商品编号

C53262940

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)