温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP045N10N3GHKSA1-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流导通状态下功耗较低，有助于提升系统整体效率。器件适用于高效率电源转换、电机驱动和高频开关电路等应用，在需要高可靠性和稳定电气性能的场合中表现良好。
- 商品型号
- IPP045N10N3GHKSA1-HXY
- 商品编号
- C53262939
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- NVMFS6B05NT1G-HXY
- NVMFS6B05NWFT1G-HXY
- IPP05CN10LG-HXY
- PSMN4R8-100PSEQ-HXY
- AOT66918L
- IPP100N10S305AKSA2-HXY
- NVMFWS004N10MCT1G-HXY
- STP130N10F3-HXY
- FQP90N10V2-HXY
- BUK9510-100B-HXY
- BSC079N10NSGATMA1-HXY
- PSMN9R5-100PS-HXY
- PSMN5R0-100PS-HXY
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY
- FDP045N10A-F032-HXY
- STD5NK50ZT4-HXY
- IRFR430BTM-HXY
- SPD03N50C3ATMA1-HXY
- IRFR430BTF-HXY
- RJK5030DPD-03#J2-HXY