温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP045N10N3GHKSA1-HXY
IPP045N10N3GHKSA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流导通状态下功耗较低，有助于提升系统整体效率。器件适用于高效率电源转换、电机驱动和高频开关电路等应用，在需要高可靠性和稳定电气性能的场合中表现良好。
- 商品型号
- IPP045N10N3GHKSA1-HXY
- 商品编号
- C53262939
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.828克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- NVMFS6B05NT1G-HXY
- NVMFS6B05NWFT1G-HXY
- IPP05CN10LG-HXY
- PSMN4R8-100PSEQ-HXY
- AOT66918L
- IPP100N10S305AKSA2-HXY
- NVMFWS004N10MCT1G-HXY
- STP130N10F3-HXY
- FQP90N10V2-HXY
- BUK9510-100B-HXY
- BSC079N10NSGATMA1-HXY
- PSMN9R5-100PS-HXY
- PSMN5R0-100PS-HXY
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY
- FDP045N10A-F032-HXY
- STD5NK50ZT4-HXY
- IRFR430BTM-HXY
- SPD03N50C3ATMA1-HXY
- IRFR430BTF-HXY
- RJK5030DPD-03#J2-HXY