DMTH10H4M5LPS-13-HXY

DMTH10H4M5LPS-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及功率管理场景。器件结构支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能保持较低的功率损耗，适合用于各类高密度、高效率的电子系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H4M5LPS-13-HXY

商品编号

C53262936

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.144克(g)