温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOT296L
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性，适用于电池保护和负载开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。其电气特性支持高效能功率开关操作，在高频率应用中可有效降低导通损耗与温升。适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、通信设备及高性能计算平台中的功率转换模块。
- 商品型号
- AOT296L
- 商品编号
- C53262937
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DIT085N10-HXY
- IPP045N10N3GHKSA1-HXY
- NVMFS6B05NT1G-HXY
- NVMFS6B05NWFT1G-HXY
- IPP05CN10LG-HXY
- PSMN4R8-100PSEQ-HXY
- AOT66918L
- IPP100N10S305AKSA2-HXY
- NVMFWS004N10MCT1G-HXY
- STP130N10F3-HXY
- FQP90N10V2-HXY
- BUK9510-100B-HXY
- BSC079N10NSGATMA1-HXY
- PSMN9R5-100PS-HXY
- PSMN5R0-100PS-HXY
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY
- FDP045N10A-F032-HXY
- STD5NK50ZT4-HXY
- IRFR430BTM-HXY
- SPD03N50C3ATMA1-HXY