DMT10H4M5LPS-13-HXY

DMT10H4M5LPS-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性，适合用于各类高效能电子设备中的功率管理模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT10H4M5LPS-13-HXY

商品编号

C53262934

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.145克(g)