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DMT10H4M5LPS-13-HXY
DMT10H4M5LPS-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性，适合用于各类高效能电子设备中的功率管理模块。
- 商品型号
- DMT10H4M5LPS-13-HXY
- 商品编号
- C53262934
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
参数完善中
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