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SIR846ADP-T1-RE3-HXY
SIR846ADP-T1-RE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻为6.4毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效水平。适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景，能够在紧凑布局中实现稳定可靠的电气性能。
- 商品型号
- SIR846ADP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262933
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
参数完善中
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