温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR846ADP-T1-RE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻为6.4毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效水平。适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景，能够在紧凑布局中实现稳定可靠的电气性能。
- 商品型号
- SIR846ADP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262933
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DMT10H4M5LPS-13-HXY
- SIR5102DP-T1-BE3-HXY
- DMTH10H4M5LPS-13-HXY
- AOT296L
- DIT085N10-HXY
- IPP045N10N3GHKSA1-HXY
- NVMFS6B05NT1G-HXY
- NVMFS6B05NWFT1G-HXY
- IPP05CN10LG-HXY
- PSMN4R8-100PSEQ-HXY
- AOT66918L
- IPP100N10S305AKSA2-HXY
- NVMFWS004N10MCT1G-HXY
- STP130N10F3-HXY
- FQP90N10V2-HXY
- BUK9510-100B-HXY
- BSC079N10NSGATMA1-HXY
- PSMN9R5-100PS-HXY
- PSMN5R0-100PS-HXY
- AOT418L
- STP80N10F7-HXY