FDP100N10-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP100N10-HXY
商品编号: C53262917
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.076克(g)

商品参数